动态随机存取存储器单元专利登记公告

专利名称：动态随机存取存储器单元

摘要：本发明公开了一种动态随机存取存储器单元，包含：第一鳍式场效应晶体管以及第二鳍式场效应晶体管。所述第二鳍式场效应晶体管与所述第一鳍式场效应晶体管相邻，包含：源极随耦晶体管，其位于所述第二鳍式场效应晶体管的第一鳍片；存取晶体管，其位于所述第二鳍式场效应晶体管的第二鳍片；写入字元线；以及读取字元线，其堆迭于所述写入字元线之上。当所述读取字元线被施以高电位时，所述源极随耦晶体管使数据得以由所述第一鳍式场效应晶体管被读取出来。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110425199.9

专利申请（专利权）人：南亚科技股份有限公司

专利发明（设计）人：沃纳·郑林

主权项：一种动态随机存取存储器单元，包含：第一鳍式场效应晶体管；以及第二鳍式场效应晶体管，其与所述第一鳍式场效应晶体管相邻，包含：源极随耦晶体管，其位于所述第二鳍式场效应晶体管的第一鳍片；存取晶体管，其位于所述第二鳍式场效应晶体管的第二鳍片；写入字元线；以及读取字元线，其堆迭于所述写入字元线之上；其中当所述读取字元线被施以高电位时，所述源极随耦晶体管使数据由所述第一鳍式场效应晶体管读取出来。

专利地区：台湾