半导体结构及其形成方法专利登记公告

专利名称：半导体结构及其形成方法

摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：半导体衬底；所述半导体衬底上定义有源区和漏区，形成在所述源区和或漏区中的凹槽，所述凹槽中填充有稀土氧化物；形成在所述凹槽中的所述稀土氧化物上的源和或漏；和形成在所述源和漏之间的沟道区。通过在半导体器件的源和或漏下方形成稀土氧化物层，从而向CMOS器件的源和或漏和或沟道区引入类型和大小可调的应力，显著提升半导体器件的迁移率，并且，利用稀土氧化物的晶体特性，以晶体生长的方式形成应力源，极大地提高了应力引入的效率，并简化了工艺流程。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210161402.0

专利申请（专利权）人：清华大学

专利发明（设计）人：王敬;郭磊;王巍

主权项：一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底；所述半导体衬底上定义有源区和漏区，形成在所述源区和或漏区中的凹槽，所述凹槽中填充有稀土氧化物；形成在所述凹槽中的所述稀土氧化物上的源和或漏；和形成在所述源和漏之间的沟道区；其中，所述稀土氧化物的晶格常数a与所述源和或漏和或沟道区的半导体材料的晶格常数b的关系为：a=(n±c)b，其中n为整数，c为晶格常数失配率，0

专利地区：北京