具有电阻电路的半导体装置专利登记公告

专利名称：具有电阻电路的半导体装置

摘要：本发明涉及具有电阻电路的半导体装置。其课题是提供由高电阻/高精度的电阻元件构成的电阻电路。作为解决手段，在由薄膜化为以下的薄膜材料构成的电阻元件上形成氮化硅等的绝缘膜。在通过蚀刻形成接触孔时，通过该绝缘膜防止接触孔穿透电阻元件。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210063849.4

专利申请（专利权）人：精工电子有限公司

专利发明（设计）人：原田博文

主权项：一种具有电阻电路的半导体装置，其具有电阻电路和绝缘栅场效应晶体管，所述电阻电路包括：由设置在半导体衬底的表面上的分离用氧化膜上所配置的第一薄膜构成的电阻元件；形成在所述电阻元件上的第二薄膜；形成在所述第二薄膜上的中间绝缘膜；设置在所述中间绝缘膜中的、所述电阻元件上的接触孔，其贯通所述第二薄膜，深度到达所述第一薄膜；以及形成在所述接触孔上的金属配线，所述绝缘栅场效应晶体管设置在所述半导体衬底的、周围被所述分离用氧化膜包围的区域中。

专利地区：日本