半导体装置及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体装置及其制造方法

摘要：本发明提供了一种半导体装置及其制造方法。在同一半导体衬底上具有晶体管元件、电容元件以及电阻元件的半导体装置中，具备充分功能的电容元件。由同一多晶硅在有源区域上形成电容元件，在元件分离区域上形成电阻元件之后，通过CMP或蚀刻等在使基板表面平坦化的同时削至期望的电阻元件的膜厚。此时，根据有源区域与元件分离区域的高度差异，形成膜厚较薄的电阻元件和膜厚较厚的电容元件的上部电极。由于电容元件的上部电极具有充分的膜厚，因而可防止触点的穿透。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210059659.5

专利申请（专利权）人：精工电子有限公司

专利发明（设计）人：井上亚矢子;津村和宏

主权项：一种半导体装置的制造方法，该半导体装置在同一半导体衬底上具有晶体管元件、电容元件以及电阻元件，其特征在于，该制造方法包括以下步骤：步骤a，在半导体衬底上形成有源区域和具有高于所述有源区域的表面高度的表面的元件分离区域；步骤b，在沿着所述有源区域上的所述半导体衬底的一个主面形成的第一导电型的阱区域上形成所述晶体管元件的栅氧化膜；步骤c，在所述半导体衬底上形成第一多晶硅膜；步骤d，对所述第一多晶硅膜进行图案化，由此在所述有源区域形成所述晶体管元件的栅电极和所述电容元件的下部电极；步骤e，向所述栅电极和下部电极

专利地区：日本