半导体器件专利登记公告

专利名称：半导体器件

摘要：一种半导体器件，包括：衬底，嵌入到衬底中并具有多个开口的绝缘膜，形成在衬底中并位于这些开口中的多个虚拟扩散层，在电阻元件形成区域中形成在绝缘膜上使得在平面图中不与虚拟扩散层重叠并且在第一方向上延伸的多个电阻元件，和在电阻元件形成区域中形成在绝缘膜和虚拟扩散层上且在第一方向上延伸的多个虚拟电阻元件；其中虚拟电阻元件中的每一个，在平面图中与衬底水平的平面上，与在与第一方向垂直的第二方向上对齐的至少两个虚拟扩散层重叠。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210059673.5

专利申请（专利权）人：瑞萨电子株式会社

专利发明（设计）人：高桥幸雄

主权项：一种半导体器件，包括：衬底；绝缘膜，所述绝缘膜嵌入到所述衬底中并且具有多个开口；多个虚拟扩散层，所述多个虚拟扩散层形成在所述衬底中并且位于所述开口中；多个电阻元件，所述多个电阻元件在电阻元件形成区域中形成在所述绝缘膜上方使得所述多个电阻元件在平面图中不与所述虚拟扩散层重叠并且在第一方向上延伸；和多个虚拟电阻元件，所述多个虚拟电阻元件在所述电阻元件形成区域中形成在所述绝缘膜和所述虚拟扩散层上方并且在所述第一方向上延伸；其中所述虚拟电阻元件中的每一个，在平面图中，在与所述衬底水平的平面中，与在垂直于所述第一方

专利地区：日本