Freescale HCS12系列MCU的Flash存储器在线编程方法专利登记公告

专利名称：Freescale HCS12系列MCU的Flash存储器在线编程方法

摘要：本发明涉及一种Freescale?HCS12系列MCU的Flash存储器在线编程方法，包括选型、擦除和写入操作。其特征在于：设计一个数据库，将Freescale?HCS12系列MCU的Flash差异参数值放置数据库中，以实现HCS12系列MCU在线编程的通用性。在RAM区中预置Flash存储器擦除和写入程序的机器码，这些机器码是在编程高压期间要运行到的语句，将其从Flash区移置RAM区执行，可以提高高压期间擦写操作的稳定性。根据BDM通信原理，独立编写一段模拟BDM串行通信的程序，目标芯片只从编程调试器

专利类型：发明专利

专利号：CN201110426788.9

专利申请（专利权）人：聂章龙

专利发明（设计）人：聂章龙;眭碧霞;张静;陶洪;吴斌;杨诚

主权项：一种Freescale?HCS12系列MCU的Flash存储器在线编程方法，包括选型、擦除和写入操作，其特征在于：?Freescale?HCS12系列MCU的擦除和写入操作通用性、稳定性、可靠性和高速性，Flash的擦除和写入操作应按以下步骤进行：①?清除Flash状态寄存器FSTAT中的出错标志位ACCERR和PVIOL；②?写Flash配置寄存器FCNFG的b1和b0，以MC9S12DP256为例，这两位表示选择256KB的Flash中的哪一个64KB；③?写PPAGE寄存器，选择要擦写的页；④?检查

专利地区：江苏