包括减少穿通泄漏的非挥发性存储器单元的集成电路专利登记公告

专利名称：包括减少穿通泄漏的非挥发性存储器单元的集成电路

摘要：本发明公开了一种包括减少穿通泄漏的非挥发性存储器单元的集成电路，每一存储器单元具有漏极、源极、通道、以及上覆于电荷储存材料及通道的控制栅极。第一存储器单元的源极耦接至第二存储器单元的漏极。将一电压施加于第一存储器单元的漏极，且将第二存储器单元的源极接地。此方法包含浮动第二存储器单元的漏极及第一存储器单元的源极，并接通第一及第二存储器单元的通道，从而有效形成一扩展通道区域。将热载流子注入至第一单元的电荷储存材料以写入第一存储器单元。扩展通道降低电场并减少未选定存储器单元中的穿通泄漏。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210043400.1

专利申请（专利权）人：旺宏电子股份有限公司

专利发明（设计）人：张力禾;蔡文哲;欧天凡;黄竣祥

主权项：一种集成电路，其包括：位于衬底上的存储器阵列，其包含：多个隔离区域；第一多个存储器单元对，其位于第一隔离区域与第二隔离区域之间，每一存储器单元对包含第一存储器单元以及第二存储器单元，每一存储器单元对具有第一掺杂区域、第二掺杂区域以及共同掺杂区域，所述第一存储器单元包含位于所述第一掺杂区域与所述共同掺杂区域之间的第一通道区域、上覆于所述第一通道区域的第一电荷储存部件以及上覆于所述第一电荷储存部件的第一控制栅极，所述第二存储器单元包含位于所述共同掺杂区域与所述第二掺杂区域之间的第二通道区域、上覆于所述第二通道

专利地区：台湾