半导体器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体器件及其制造方法

摘要：一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括具有第一横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)的输出端口和具有第二LDMOS器件和双极晶体管的静电放电保护器件，该静电放电保护器件用于防止输出端口受到静电放电的损害。第二LDMOS器件的击穿电压等于或低于第一LDMOS器件的击穿电压。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110427177.6

专利申请（专利权）人：三星电子株式会社

专利发明（设计）人：李孟烈

主权项：一种半导体器件，包括：输出端口，包括第一横向双扩散金属氧化物半导体LDMOS器件；以及静电放电保护器件，包括第二LDMOS器件和双极晶体管，该静电放电保护器件保护所述输出端口免受静电放电，第二LDMOS器件的击穿电压等于或低于第一LDMOS器件的击穿电压。

专利地区：韩国