RF功率器件专利登记公告

专利名称：RF功率器件

摘要：一种RF功率器件包括半导体衬底，所述半导体衬底具有布置成阵列的多个有源区。每一个有源区包括一个或多个RF功率晶体管。所述有源区散布于非有源区中，以减少分离的有源区中RF功率晶体管的相互加热。该器件也包括位于一个或多个非有源区中的至少一个阻抗匹配部件。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110447041.1

专利申请（专利权）人：NXP股份有限公司

专利发明（设计）人：马尼克斯·伯纳德·威廉森

主权项：一种RF功率器件，包括：半导体衬底，具有布置成阵列的多个有源区，其中每一个有源区包括一个或多个RF功率晶体管，并且所述有源区通过非有源区分隔开，所述非有源区用于减少分离的有源区中的RF功率晶体管的相互加热；以及至少一个阻抗匹配部件，位于一个或多个所述非有源区中。

专利地区：荷兰