半导体装置专利登记公告

专利名称：半导体装置

摘要：本发明要构筑一种包括ESD保护特性优越的ESD保护电路的半导体装置。按照仅在施加了基于静电的浪涌电压时成为导通状态的方式，形成通过由电阻元件(20)和电容元件(21)形成的RC定时器、以及PLDMOS晶体管(5)而构成的带RC定时器的放电部(1)。另外，形成将NMOS截止晶体管(10)、(15)各自的源极电极(13)和漏极电极(16)彼此连接的噪声产生防止部(2)。将所述带RC定时器的放电部(1)的PLDMOS晶体管(5)的源极电极(6)与电源线(3)连接。另外，对该PLDMOS晶体管(5)的漏极电极(8

专利类型：发明专利

专利号：CN201210004746.0

专利申请（专利权）人：半导体元件工业有限责任公司

专利发明（设计）人：赤井一雅

主权项：一种半导体装置，包括静电放电保护电路，所述半导体装置的特征在于，具备：RC定时器，其通过电阻元件和电容元件串联连接而构成；PMOS晶体管，其具备与所述RC定时器的所述电阻元件和所述电容元件之间的连接部连接的栅极电极、与所述电阻元件的与连接于所述电容元件的端子不同的端子连接的源极电极、以及与所述电容元件的与连接于所述电阻元件的端子不同的端子连接的漏极电极；和NMOS截止晶体管，其具备与所述PMOS晶体管的所述漏极电极连接的漏极电极、源极电极、以及与该源极电极连接的栅极电极。

专利地区：美国