半导体ESD电路和方法专利登记公告

专利名称：半导体ESD电路和方法

摘要：本发明涉及半导体ESD电路和方法。在一个实施例中，一种在第一节点和第二节点之间提供保护的静电放电（ESD）电路包括第一MOS器件，其具有耦接到第一节点的第一源极/漏极以及耦接到中间节点的第二源极/漏极。该ESD电路还包括：第一电容器，耦接在第一MOS器件的栅极和第一节点之间；第一电阻器，耦接在第一MOS器件的栅极和中间节点之间；第二MOS器件，具有耦接到中间节点的第一源极/漏极和耦合到第二节点的第二源极/漏极；第二电容器，耦接在第二MOS器件的栅极和第一节点之间；以及第二电阻器，耦接在第二MOS器件的栅极

专利类型：发明专利

专利号：CN201210005826.8

专利申请（专利权）人：英飞凌科技股份有限公司

专利发明（设计）人：D.阿尔瓦雷斯;K.多曼斯基;A.B.伊勒;C.C.鲁斯;W.佐尔德纳

主权项：一种在第一节点和第二节点之间提供保护的静电放电（ESD）电路，所述ESD电路包括：第一MOS器件，具有耦接到所述第一节点的第一源极/漏极以及耦接到中间节点的第二源极/漏极；第一电容器，耦接在所述第一MOS器件的栅极和所述第一节点之间；第一电阻器，耦接在所述第一MOS器件的栅极和所述中间节点之间；第二MOS器件，具有耦接到所述中间节点的第一源极/漏极和耦合到所述第二节点的第二源极/漏极；第二电容器，耦接在所述第二MOS器件的栅极和所述第一节点之间；以及第二电阻器，耦接在所述第二MOS器件的栅极和所述第二节点

专利地区：德国