用于防止半导体电路中的双极寄生激活的系统和方法专利登记公告

专利名称：用于防止半导体电路中的双极寄生激活的系统和方法

摘要：本发明涉及用于防止半导体电路中的双极寄生激活的系统和方法。在实施例中，一种半导体器件具有：第一半导体类型的半导体本体；第二半导体类型的第一区域，设置于半导体本体中；以及第一半导体类型的第二区域，设置于第一区域内，其中第二半导体类型与第一半导体类型相反，并且其中在第一区域与半导体本体之间的界面形成第一二极管结。半导体器件也具有：比较器，具有耦合到半导体本体的第一输入和耦合到第一区域的第二输入；以及开关，具有耦合到第一区域的第一输出节点和耦合到半导体本体的第二输出节点。半导体本体、第一区域和第二区域被配置成分

专利类型：发明专利

专利号：CN201210007056.0

专利申请（专利权）人：英飞凌科技股份有限公司

专利发明（设计）人：L.佩特鲁齐

主权项：一种半导体器件，包括：第一半导体类型的半导体本体，所述半导体本体被配置成耦合到第一电源电压；第二半导体类型的第一区域，设置于所述半导体本体中，其中：??????所述第二半导体类型与所述第一半导体类型相反，??????在所述第一区域与所述半导体本体之间的界面形成第一二极管结，并且??????所述第一区域被配置成耦合到第二电源电压；所述第一半导体类型的第二区域，设置于所述第一区域内，所述第二区域被配置成耦合到第三电源电压；比较器，具有耦合到所述半导体本体的第一输入和耦合到所述第一区域的第二输入；以及开关，具有

专利地区：德国