半导体放电器件及其形成方法专利登记公告

专利名称：半导体放电器件及其形成方法

摘要：本发明涉及半导体放电器件及其形成方法。在一个实施例中，一种形成半导体器件的方法包括在衬底内形成阱区段。在所述阱区段内和/或之上形成多个晶体管。所述方法还包括在衬底内形成第一放电器件。第一放电器件耦合到所述阱区段和低电压节点。在后续处理期间，第一放电器件从所述阱区段对电荷进行放电。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210007059.4

专利申请（专利权）人：英飞凌科技股份有限公司

专利发明（设计）人：A.马丁;A.许茨;G.齐默曼

主权项：一种半导体结构，包括：阱区段，包括布置在衬底中的多个晶体管；以及包括第一晶体管的第一放电器件，所述第一晶体管具有第一源极/漏极区段、第二源极/漏极区段以及第一栅极区段，其中第一源极/漏极区段耦合到阱区段，其中第二源极/漏极区段耦合到低电压节点，其中第一栅极区段耦合到第一天线。

专利地区：德国