沟槽式MOS静电释放结构以及集成电路专利登记公告
专利名称：沟槽式MOS静电释放结构以及集成电路
摘要：本发明提供了一种沟槽式MOS静电释放结构以及集成电路。根据本发明的沟槽式MOS静电释放结构包括布置在沟槽式MOS有源区上的电介质层上的二极管阵列，所述二极管阵列的两端分别连接至沟槽式MOS的源极和栅极；其中在所述电介质层和所述沟槽式MOS有源区之间插入了一个氮化硅层。
专利类型：发明专利
专利号：CN201210061973.7
专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司
专利发明（设计）人：楼颖颖;吴亚贞
主权项：一种沟槽式MOS静电释放结构，其特征在于包括布置在沟槽式MOS有源区上的电介质层上的二极管阵列，所述二极管阵列的两端分别连接至沟槽式MOS的源极和栅极；其中在所述电介质层和所述沟槽式MOS有源区之间插入了一个氮化硅层。
专利地区：上海
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