具蚀刻停止层的磊晶结构及其制造方法专利登记公告

专利名称：具蚀刻停止层的磊晶结构及其制造方法

摘要：一种具蚀刻停止层的磊晶结构及其制造方法，所述制造方法包含以下步骤：首先，于一层第一基板上成长一图样化牺牲层，该第一基板部分面积露出，未受该图样化牺牲层遮盖，接着，于该第一基板部分露出面积与图样化牺牲层上，侧向磊晶成长一层暂时磊晶层，而后，于该暂时磊晶层上成长一层蚀刻停止层，再来，于该蚀刻停止层上成长一层磊晶结构层，通过该蚀刻停止层形成于该磊晶结构层的下方，因此，后续在蚀刻移除该图样化牺牲层、该暂时磊晶层时，不至过度蚀刻该磊晶结构层，进而维持光电元件品质。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110428930.3

专利申请（专利权）人：李德财

专利发明（设计）人：武东星;洪瑞华;蔡宗晏

主权项：一种具蚀刻停止层的磊晶结构的制造方法，其特征在于该制造方法包含以下步骤：一、于一层第一基板上成长一层图样化牺牲层，该第一基板部分面积露出，未受该图样化牺牲层遮盖；二、于该第一基板部分露出面积与图样化牺牲层上，侧向磊晶成长一层暂时磊晶层；三、于该暂时磊晶层上成长一层蚀刻停止层；四、于该蚀刻停止层上成长一层磊晶结构层。

专利地区：台湾