具易移除牺牲层的磊晶结构及其制造方法专利登记公告

专利名称：具易移除牺牲层的磊晶结构及其制造方法

摘要：一种具易移除牺牲层的磊晶结构及其制造方法，所述方法包含以下步骤：首先，制备一层第一基板，接着，于该第一基板上形成一层氧化镓牺牲层，该氧化镓牺牲层满足GaOx，其中0.5≤x≤3.5，而后，于该氧化镓牺牲层上磊晶成长一层磊晶结构层，利用移除该氧化镓牺牲层来保持该磊晶结构层的品质与性能，而由于该氧化镓牺牲层结晶特性弱，因此该氧化镓牺牲层容易被移除，提高整体制程效率。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110428953.4

专利申请（专利权）人：李德财

专利发明（设计）人：武东星;洪瑞华;蔡宗晏

主权项：一种具易移除牺牲层的磊晶结构的制造方法，其特征在于该制造方法包含以下步骤：一、制备一层第一基板；二、于该第一基板上形成一层氧化镓牺牲层，该氧化镓牺牲层满足GaOx，其中0.5≤x≤3.5；及三、于该氧化镓牺牲层上磊晶成长一层磊晶结构层。

专利地区：台湾