制造半导体设备的方法、半导体设备以及使用该半导体设备的点火器专利登记公告

专利名称：制造半导体设备的方法、半导体设备以及使用该半导体设备的点火器

摘要：根据本发明的制造半导体设备的方法包括如下步骤：将焊料31涂覆到引线框30的上表面上的预定区域上；将芯片32安装在焊料31上；用热板33熔化焊料31，以将芯片32接合到引线框30；用接合导线34来配线；将引线框30倒置；将倒置的引线框30放置到加热台35上；涂覆熔点低于焊料31的熔点的焊料36；将电子部件37安装在焊料36上；以及，用加热台35来熔化焊料36，以将电子部件37接合到引线框30。借助于焊料36的接合在高环境温度下进行。半导体设备及其制造方法便于将半导体装置和电子部件安装在为形成配线电路而被划分

专利类型：发明专利

专利号：CN201110433708.2

专利申请（专利权）人：富士电机株式会社

专利发明（设计）人：香月尚

主权项：一种制造半导体设备的方法，所述方法包括下列步骤：使引线框的第一表面朝上，所述引线框包括引线部分和为形成配线电路而被划分的配线电路部分；使用第一接合材料将半导体装置接合到所述配线电路部分的部件安装平面；使用所述第一接合材料来接合第一电子部件，以桥接所述配线电路部分之间的间隙；用接合导线连接所述半导体装置和所述配线电路部分；使所述引线框上下翻转，以使所述引线框的第二表面朝上；在比所述第一电子部件的接合温度低的温度下使用第二接合材料将第二电子部件接合到所述引线框的第二表面，以桥接配线电路部分之间的间隙；以及用模

专利地区：日本