芯片层叠和3-D电路的热传导专利登记公告

专利名称：芯片层叠和3-D电路的热传导

摘要：本发明涉及一种芯片层叠和3-D电路的热传导。一种半导体器件组件和方法可包括单个半导体层或层叠半导体层，例如半导体晶片或晶片部分(半导体管芯)。在每个半导体层上，穿过其中形成的金刚石层可有助于热的传送和消散。金刚石层可包括半导体层的后部上的第一部分和垂直延伸到半导体层内——例如，完全穿过半导体层——的一个或多个第二部分。然后可形成至金刚石层的热触点以使热传导而离开一个或多个半导体层。可穿过金刚石层形成导电通孔，以提供信号传送和散热能力。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210026381.1

专利申请（专利权）人：英特赛尔美国股份有限公司

专利发明（设计）人：S·J·高尔;F·希伯特

主权项：一种用于形成半导体组件的方法，包括：去除半导体层的一部分以穿过其中形成从所述半导体层的前侧延伸至所述半导体层的后侧的开口；以及形成延伸穿过所述开口并且包括在所述半导体层的所述前侧的第一暴露表面和在所述半导体层的所述后侧的第二暴露表面的金刚石层。

专利地区：美国