形成金属柱的方法专利登记公告

专利名称：形成金属柱的方法

摘要：本公开涉及金属柱的制造。制造半导体器件的示例性方法包括的步骤有：提供具有接触焊盘的衬底；形成钝化层，其在衬底上方延伸并且在接触焊盘上有开口；在接触焊盘和部分钝化层上形成金属柱；在金属柱上方形成焊接层；以及使金属柱的侧壁与有机化合物发生反应，以在金属柱的侧壁上形成该有机化合物的自组装单层或自组装多层。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110433918.1

专利申请（专利权）人：台湾积体电路制造股份有限公司

专利发明（设计）人：林正怡;吴逸文;吕文雄;林志伟;杨宗翰;林修任;郑明达;刘重希

主权项：一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供有接触焊盘的衬底；形成钝化层，其在所述衬底上方延伸并且在所述接触焊盘上具有开口；在所述接触焊盘和部分所述钝化层上方形成金属柱；在所述金属柱上方形成焊接层；以及使所述金属柱的侧壁与有机化合物发生反应以在所述金属柱的侧壁上形成所述有机化合物的自组装单层。

专利地区：台湾