通过优化伪金属分布增大介电强度专利登记公告

专利名称：通过优化伪金属分布增大介电强度

摘要：一种通过优化伪金属分布增大介电强度的方案，该方案包括以下方法：提供晶圆表示件，包括金属层和在该金属层的上方的多个凸块焊盘，其中，该金属层包括：凸块焊盘正下方区域。将固体金属图案插入金属层，其中，固体金属图案包括：位于凸块焊盘正下方区域中的第一部件和位于凸块焊盘正下方区域以外的第二部件。去除固体金属图案的第二部件的部分，其中，基本上没有去除固体金属图案的第一部件的部分。在去除形成的伪金属图案的步骤期间没有去除固体金属图案的剩余部分。在半导体晶圆中实施伪金属图案和多个凸块焊盘。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110201477.2

专利申请（专利权）人：台湾积体电路制造股份有限公司

专利发明（设计）人：陈宪伟;刘醇鸿

主权项：一种方法，包括：提供晶圆表示件，包括：金属层和位于所述金属层的上方的多个凸块焊盘，其中，所述金属层包括凸块焊盘正下方区域；将固体金属图案插入所述金属层中，其中，所述固体金属图案包括位于所述凸块焊盘正下方区域中的第一部件和位于所述凸块焊盘正下方区域以外的第二部件；以及去除所述固体金属图案的所述第二部件的部分，其中，基本上没有去除所述固体金属图案的所述第一部件的部分，在去除形成的伪金属图案的步骤期间没有去除所述固体金属图案的剩余部分，并且其中，使用计算机执行插入和去除的步骤。

专利地区：台湾