化学机械研磨方法和半导体晶片清洗方法专利登记公告

专利名称：化学机械研磨方法和半导体晶片清洗方法

摘要：本发明实施例公开了一种化学机械研磨方法和半导体晶片清洗方法，所述化学机械研磨方法用于在介质层的通孔中淀积金属层后，研磨去除多余的金属，形成金属插塞，包括：研磨淀积金属层后的半导体晶片表面；向半导体晶片表面喷水，控制喷水参数以实现减小介质层对金属插塞形成的侧应力；清洗半导体晶片表面。所述半导体晶片清洗方法，用于在介质层中形成金属插塞之后，清洗半导体晶片，包括：向半导体晶片表面喷水，控制喷水参数以实现减小介质层对金属插塞形成的侧应力。本实施例提供的技术方案可以减小介质层对金属插塞的侧应力，进而能够避免金属导线

专利类型：发明专利

专利号：CN201110004658.6

专利申请（专利权）人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司

专利发明（设计）人：李健;朱旋;许宗能;曾明;杨兆宇

主权项：一种化学机械研磨方法，用于在介质层的通孔中淀积金属层后，研磨去除多余的金属，形成金属插塞，其特征在于，包括：研磨淀积金属层后的半导体晶片表面；向半导体晶片表面喷水，控制喷水参数以实现减小介质层对金属插塞形成的侧应力；清洗半导体晶片表面。

专利地区：江苏