一种刻蚀方法专利登记公告

专利名称：一种刻蚀方法

摘要：本发明所提供的刻蚀方法，通过比较待刻蚀图案与已有刻蚀图案、测试基片形貌与标准形貌、测试各基片的金属刻蚀终点时间，并观察各基片金属刻蚀终点时间是否有下降趋势的步骤、比较最后一个测试基片的形貌与标准形貌的步骤。在各基片金属刻蚀终点时间有下降趋势，以及最后一个被刻蚀的测试基片的形貌测试结果与所提供的刻蚀程式适用于所提供的待刻蚀图案时的形貌不相符的情况下，可以判定所提供的刻蚀程式不适合于待刻蚀图案，从而在所提供刻蚀程式不适合于所提供的刻蚀图案的情况下可以尽早将所提供的刻蚀程式放弃，节省了判断的时间，加快了生产进度

专利类型：发明专利

专利号：CN201110002838.0

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：黄莉;齐龙茵;奚裴

主权项：一种刻蚀方法，包括：a.提供刻蚀程式、待刻蚀图案、标准刻蚀形貌、电学性能参数、测试基片以及待刻蚀基片；b.对比与所提供的刻蚀程式对应的刻蚀图案和所提供的待刻蚀图案的密度，如果相同，则采用所提供的刻蚀程式刻蚀所提供的待刻蚀基片，如果不相同，则进入步骤c；c.根据所提供的刻蚀程式，刻蚀所提供的测试基片，并测试刻蚀后测试基片的形貌，对比所得到的形貌测试结果与所提供的标准刻蚀形貌，如果不相符，则放弃所提供的刻蚀程式，如果相符，则进入步骤d；d.根据所提供的刻蚀程式对所提供的测试基片进行刻蚀，测试多个测试基片的金属

专利地区：上海