LOCOS多层氧化层的集成制作方法专利登记公告

专利名称：LOCOS多层氧化层的集成制作方法

摘要：本发明公开了一种LOCOS多层氧化层的集成制作方法，该方法在下层芯片结构上制作衬垫；在所述衬垫上定义第一种厚度氧化层区域，并在所述第一种厚度氧化层区域开口，进行第一次氧化生长；然后，定义第二种厚度氧化层区域，并开口，进行第二次氧化生长，从而形成不同厚度的氧化层；最后去除衬垫，进行湿法回刻以调整鸟嘴，完成多层氧化层的制作。该LOCOS多层氧化层的集成制作方法采用LOCOS工艺，通过对多层氧化层的工艺进行集成，可以优化多层氧化层厚度比例和湿法回刻，解决了多种厚度的氧化层同时存在时的鸟嘴问题，实现了更低的成本和

专利类型：发明专利

专利号：CN201210075340.1

专利申请（专利权）人：无锡华润上华半导体有限公司

专利发明（设计）人：吴孝嘉;罗泽煌;章舒;许剑;何延强;何敏

主权项：一种LOCOS多层氧化层的集成制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、提供所需制作多层氧化层的下层芯片结构；步骤二、在所述下层芯片结构上制作衬垫；?步骤三、在所述衬垫上利用光刻工艺定义第一种厚度氧化层区域，并利用腐蚀工艺在所述第一种厚度氧化层区域开口；步骤四、在制作有第一种厚度氧化层区域开口的下层芯片结构上进行第一次氧化生长；步骤五、第一次氧化生长后，在所述衬垫上利用光刻工艺定义第二种厚度氧化层区域，并利用腐蚀工艺在所述第二种厚度氧化层区域开口；步骤六、在制作了第二种厚度氧化层区域开口后进行第二次氧化

专利地区：江苏