基于AlN埋绝缘层的机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法专利登记公告
专利名称：基于AlN埋绝缘层的机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法
摘要：本发明公开了一种基于AlN埋绝缘层的机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)GeOI晶圆顶层Ge层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在GeOI晶圆两端，距GeOI晶圆边缘1cm；3)缓慢旋动连接压杆的螺帽，使GeOI晶圆沿弧形台面逐渐弯曲，直至GeOI晶圆完全与弧形台面贴合；4)载有GeOI晶圆的弧形弯曲台放置在退火炉中进行退火；5)退火结束后缓慢降温至室温，取出载有GeOI晶圆片的弧形弯曲台；6)旋动连接压杆的螺帽，将压杆缓慢提升，直至弯曲的GeOI晶圆
专利类型：发明专利
专利号：CN201110361523.5
专利申请（专利权）人：西安电子科技大学
专利发明（设计）人：戴显英;郑若川;郭静静;王宗伟;朱正国;李金龙;田茂源;郝跃;张鹤鸣
主权项：一种基于AlN埋绝缘层的机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：1)GeOI晶圆顶层Ge层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在GeOI晶圆两端，距GeOI晶圆边缘1cm；3)缓慢旋动连接压杆的螺帽，使GeOI晶圆沿弧形台面逐渐弯曲，直至GeOI晶圆完全与弧形台面贴合；4)载有GeOI晶圆的弧形弯曲台放置在退火炉中进行退火，退火温度在300℃至900℃范围内可任意选择；5)退火结束后缓慢降温至室温，取出载有GeOI晶圆片的弧形弯曲台；6)旋动连接压杆
专利地区：陕西
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