浅沟槽隔离的制造方法专利登记公告

专利名称：浅沟槽隔离的制造方法

摘要：本发明公开了一种浅沟槽隔离的制造方法，在硅衬底上形成浅沟槽隔离和有源区的工艺步骤中，包括在有源区的边缘位置处进行非晶化离子注入的步骤，非晶化离子注入使注入处的有源区表面的晶体硅非晶化。本发明能实现在接下来的栅极氧化层生长过程中，位于该交界边缘处的栅极氧化层生长速率要快于有源区内部，从而能够减小所谓的栅极氧化层边缘厚度变薄效应，从而能提高器件栅极击穿电压和栅极击穿寿命，提高器件的可靠性。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110009482.3

专利申请（专利权）人：上海华虹NEC电子有限公司

专利发明（设计）人：熊涛;罗啸;陈瑜

主权项：一种浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于：在硅衬底上形成浅沟槽隔离和有源区的工艺步骤中，包括在所述有源区的边缘位置处进行非晶化离子注入的步骤，所述有源区的边缘位置处为所述有源区和所述浅沟槽隔离交界的边缘位置处，所述非晶化离子注入使注入处的所述有源区表面的单晶硅非晶化。

专利地区：上海