半导体结构及其制作方法专利登记公告

专利名称：半导体结构及其制作方法

摘要：本申请公开了一种半导体结构及其制作方法。该方法包括：提供第一半导体层；在第一半导体层上设置第一电介质材料层，并在该第一电介质材料层中限定开口；在第一半导体层上，经由第一电介质材料层中限定的开口，外延生长第二半导体层，其中第二半导体层的材料与第一半导体层的材料不同；以及在第二半导体层中，在与第一电介质材料层中之前限定的开口以及相邻开口之间中部位置处，形成第二电介质材料栓塞。根据本发明，可以提供一种半导体结构，而不存在或者仅存在很少的外延缺陷。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110006103.5

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：骆志炯;尹海洲;朱慧珑

主权项：一种制作半导体结构的方法，包括：提供第一半导体层；在所述第一半导体层上设置第一电介质材料层，并在该第一电介质材料层中限定开口；在所述第一半导体层上，经由所述第一电介质材料层中限定的开口，外延生长第二半导体层，其中所述第二半导体层的材料与所述第一半导体层的材料不同；以及在所述第二半导体层中，在所述第一电介质材料层中之前限定的开口以及相邻所述开口之间中部位置处，形成第二电介质材料栓塞。

专利地区：北京