元件间分离层的形成方法专利登记公告

专利名称：元件间分离层的形成方法

摘要：本发明涉及元件间分离层的形成方法。提供了一种使在半导体衬底上形成的绝缘膜的研磨工序中的控制性提高、形成具有卓越的元件间分离性能的元件间分离层的方法。具有：在半导体衬底的表面上依次形成焊盘氧化膜以及氮化膜的工序；形成贯通焊盘氧化膜以及氮化膜、到达半导体衬底内部的沟槽的工序；以填充沟槽并且覆盖氮化膜的方式形成埋入氧化膜的工序；以在氮化膜上残留埋入氧化膜的方式使用第1研磨材料对埋入氧化膜进行研磨的工序；以及使用第2研磨材料来研磨埋入氧化膜，使氮化膜露出，并且使氮化膜以及埋入氧化膜的露出面平坦化的工序，其中该第2

专利类型：发明专利

专利号：CN201110434910.7

专利申请（专利权）人：拉碧斯半导体株式会社

专利发明（设计）人：西村英知

主权项：一种元件间分离层的形成方法，其特征在于，具有：在半导体衬底的表面上依次形成焊盘氧化膜以及氮化膜的工序；形成贯通所述焊盘氧化膜以及氮化膜、到达所述半导体衬底内部的沟槽的工序；以填充所述沟槽并且覆盖所述氮化膜的方式形成埋入氧化膜的工序；以在所述氮化膜上残留所述埋入氧化膜的方式使用第1研磨材料对所述埋入氧化膜进行研磨的工序；以及使用第2研磨材料来研磨所述埋入氧化膜，使所述氮化膜露出，并且使所述氮化膜以及所述埋入氧化膜的露出面平坦化的工序，其中所述第2研磨材料具备比所述第1研磨材料的所述埋入氧化膜相对于所述氮化膜

专利地区：日本