浮栅的制作方法专利登记公告

专利名称：浮栅的制作方法

摘要：本发明涉及一种浮栅的制作方法，步骤如下：在衬底上依次沉积栅氧和第一多晶硅；沉积氮化硅；刻蚀氮化硅形成沟槽，暴露出沟槽内的第一多晶硅；刻蚀沟槽内的第一多晶硅形成坡面；进行离子注入，在衬底中形成第一注入区；在上述结构表面沉积第一氧化层；去除一部分第一氧化层；刻蚀第一氧化层在沟槽内形成第一侧墙；刻蚀沟槽内的第一多晶硅和栅氧；在上述结构表面沉积第二氧化层；刻蚀第二氧化层在沟槽内形成第二侧墙。本发明在同一机台多批量生产时，沉积一较厚第一氧化层，根据实际需求去除一部分第一氧化层，以满足后续浮栅制作中，浮栅长度的稳定性

专利类型：发明专利

专利号：CN201210093517.0

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：曹子贵;汤志林;吴靓臻;宁丹;吴振麟;李德尧;苏步春

主权项：一种浮栅的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上依次沉积栅氧和第一多晶硅；在第一多晶硅上沉积氮化硅；刻蚀氮化硅形成沟槽，所述沟槽的底部暴露出第一多晶硅；各向同性刻蚀沟槽内部分深度的第一多晶硅，使刻蚀后的第一多晶硅表面形成一坡面；在沟槽内进行离子注入，在衬底中形成第一注入区；在上述结构表面沉积第一氧化层；湿法刻蚀去除一部分第一氧化层；刻蚀第一氧化层，在沟槽内壁上形成第一侧墙，所述第一侧墙的底部连接至所述坡面，所述第一侧墙的顶部与氮化硅顶部相连；以所述第一侧墙为掩蔽，刻蚀去除沟槽内暴露出的第一多晶硅和栅

专利地区：上海