红外焦平面阵列中读出电路及其参比电阻以及制造方法专利登记公告

专利名称：红外焦平面阵列中读出电路及其参比电阻以及制造方法

摘要：本发明公开了一种红外焦平面阵列中读出电路及其参比电阻以及制造方法，其中参比电阻包括4个参比单元，其中两个参比单元并联后串接另外两个并联的参比单元；所述参比单元包括设有读出电路的衬底，在衬底上设有第一绝缘隔离层，在第一绝缘隔离层上表面靠近两侧设有两个与衬底连通的通孔，通孔中设有读出电极，读出电极高于第一绝缘隔离层，在两读出电极间的凹槽中设有与探测像元所用材料相同的热敏感材料层，热敏感材料层高度与读出电极高度持平，在读出电极与热敏感材料层上方设有第二绝缘隔离层，在所有参比电阻的上方共设一导热金属层，导热金属层

专利类型：发明专利

专利号：CN201110437202.9

专利申请（专利权）人：电子科技大学

专利发明（设计）人：刘子骥;黄泽武;曾星鑫;劳常委;郑兴;蒋亚东

主权项：?一种红外焦平面阵列中读出电路的参比电阻，其特征在于：每个参比电阻由4个参比单元构成，其中两个参比单元并联后串接另外两个并联的参比单元；所述参比单元包括设有读出电路的衬底，在衬底上设有第一绝缘隔离层，在第一绝缘隔离层上表面靠近两侧设有两个与衬底连通的通孔，通孔中设有读出电极，读出电极高于第一绝缘隔离层，在两读出电极间的凹槽中设有与探测像元所用材料相同的热敏感材料层，热敏感材料层高度与读出电极高度持平，在读出电极与热敏感材料层上方设有第二绝缘隔离层，在所有参比单元的上方共设一导热金属层，导热金属层与参比单元

专利地区：四川