基于硅衬底氮化物材料的集成光子器件及其制备方法专利登记公告

专利名称：基于硅衬底氮化物材料的集成光子器件及其制备方法

摘要：本发明公开了一种基于硅衬底氮化物材料的集成光子器件及其制备方法，实现载体为硅衬底III族氮化物晶片，包括硅衬底层，以及设置在硅衬底层上的顶层氮化物器件层，还包括从下往上依次设置在所述顶层氮化物器件层上的一层氮化铝薄膜层和一层氧化铪薄膜层；所述氮化铝薄膜层具有一个贯穿其中的空腔；所述氧化铪薄膜层位于所述空腔上部的悬空部分具有光子器件结构；本发明还公开了一种基于硅衬底氮化物材料的集成光子器件结构的制备方法。本发明所设计的一种基于硅衬底氮化物材料的集成光子器件及其制备方法能够便于实现基于氮化物材料的集成光子器件

专利类型：发明专利

专利号：CN201110441607.X

专利申请（专利权）人：南京邮电大学

专利发明（设计）人：王永进;朱洪波

主权项：一种基于硅衬底氮化物材料的集成光子器件，实现载体为硅衬底III族氮化物晶片，包括硅衬底层，以及设置在硅衬底层上的顶层氮化物器件层，其特征在于：还包括从下往上依次设置在所述顶层氮化物器件层上的一层氮化铝薄膜层和一层氧化铪薄膜层；所述氮化铝薄膜层具有一个贯穿其中的空腔；所述氧化铪薄膜层位于所述空腔上部的悬空部分具有光子器件结构。

专利地区：江苏