抗硫化芯片电阻器及其制造方法专利登记公告

专利名称：抗硫化芯片电阻器及其制造方法

摘要：抗硫化芯片电阻器及其制造方法。一种芯片电阻器包括绝缘衬底11、利用银基金属陶瓷在衬底表面上形成的顶部端电极12、底部电极13、位于顶部端电极12之间并与它们部分交迭的电阻元件14、全部或部分覆盖电阻元件14的任选的内保护涂层15、全部覆盖内保护涂层15并部分覆盖顶部端电极12的外保护涂层16、覆盖衬底、顶部电极12和底部电极13的侧表面并部分与外保护涂层16交迭的镍电镀层17、覆盖镍层17的精整电镀层18。镍层17和外保护层16的交迭具有密封性质，因为在镍电镀过程之前对外保护层16的边缘进行金属化。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110443555.X

专利申请（专利权）人：威世科技公司

专利发明（设计）人：M·贝尔曼;L·阿赫特曼

主权项：一种芯片电阻器，包括：具有表面的绝缘衬底；设置于所述衬底的所述表面上的易于受硫化影响的第一端电极；与所述第一端电极电连通的电阻元件；覆盖所述电阻元件的至少一部分以及所述第一端电极的至少一部分的不导电外保护涂层；形成在所述不导电外保护涂层上以允许进行电镀的第一金属化边缘；覆盖所述第一端电极的至少一部分并粘着于所述第一端电极和所述金属化边缘的金属镀层。

专利地区：美国