V₂O₃复合限流元件的制备方法专利登记公告

专利名称：V₂O₃复合限流元件的制备方法

摘要：本发明涉及一种V2O3复合限流元件的制备方法。该制备方法是按照以下步骤制备：a、以V2O3陶瓷粉末为基材，在其中添加聚四氟乙烯乳液，经混和器进行干法混合，造粒；b、直接将造粒后的粉料加入模具，放入压机预压成型制成毛坯；c、然后将毛坯放入烧结炉内烧结；形成复合限流元件芯片；d、冷却后可利用电镀或溅射方式在芯片两端形成金属电极。本发明的V2O3复合限流元件的制备方法解决了己有PTC陶瓷限流元件存在不易低阻化，易分层；V2O3限流元件存在易碎裂，寿命短，以及高分子PTC元件存在恢复特性差，寿命短等问题。利用本制

专利类型：发明专利

专利号：CN201210163553.X

专利申请（专利权）人：成都顺康电子有限责任公司

专利发明（设计）人：杨敬义

主权项：一种V2O3复合限流元件的制备方法，其特征是按照以下步骤制备：?a?、以V2O3陶瓷粉末为基材，在其中添加聚四氟乙烯乳液，经混和器进行干法混合，造粒；b?、直接将造粒后的粉料加入模具，放入压机预压成型制成毛坯；c?、然后将毛坯放入烧结炉内烧结；形成复合限流元件芯片；d?、冷却后可利用电镀或溅射方式在芯片两端形成金属电极。

专利地区：四川