一种多层结构V₂O₃限流元件的制备方法专利登记公告

专利名称：一种多层结构V₂O₃限流元件的制备方法

摘要：本发明涉及一种多层结构V2O3限流元件的制备方法。该制备方法是按照以下步骤制备：a、配制介质陶瓷浆料及导电陶瓷浆料；b、在巴块模板上形成介质陶瓷膜，并用加热方式使其干燥固化形成陶瓷层；c、在已固化的陶瓷层上形成导电陶瓷膜；d、用加热方式形成V2O3功能层；e、在已固化的V2O3功能层上形成介质陶瓷膜；f、使介质陶瓷膜固化形成陶瓷层；g、继续执行c至f步骤直至形成所需要的陶瓷层或V2O3功能层数，经切割后而制成多层结构V2O3限流元件的生坯；h、将多层结构V2O3限流元件的生坯排胶、烧结，制成多层结构V2O

专利类型：发明专利

专利号：CN201210163557.8

专利申请（专利权）人：成都顺康新科孵化有限公司

专利发明（设计）人：杨敬义;刘青

主权项：一种多层结构V2O3限流元件的制备方法，其特征是按照以下步骤制备：a、介质陶瓷粉末、V2O3导电陶瓷粉末分别与粘合剂混合而配制成介质陶瓷浆料及导电陶瓷浆料；?b、在巴块模板上用介质陶瓷浆料通过涂布或流延方式形成介质陶瓷膜，并用加热方式使其干燥固化形成陶瓷层；?c、在已固化的陶瓷层上用导电陶瓷浆料通过涂布或流延方式形成导电陶瓷膜；?d、用加热方式使涂布或流延的导电陶瓷膜固化形成V2O3功能层；??e、在已固化的V2O3功能层上用介质陶瓷浆料通过涂布或流延方式形成介质陶瓷膜；?f、用加热方式使涂布或流延的介质

专利地区：四川