半导体衬底的自热测量装置及其测试方法专利登记公告

专利名称：半导体衬底的自热测量装置及其测试方法

摘要：本发明涉及半导体材料测试领域。本发明提供一种半导体衬底的自热测量装置，包括一二极管、一导热胶层、一直流电流源和一电压计；导热胶层的一面与二极管形成导热接触；直流电流源与二极管的两端电学连接；电压计与二极管的两端电学连接。其测试方法包括步骤：提供待测的半导体衬底；在待测区域处的裸露表面粘附一导热胶层；将二极管粘附于导热胶层的裸露表面；分别将电压计，直流电流源与二极管电学连接；测得半导体衬底的温度。本发明提供的测量装置和测量方法具有反复使用、成本低廉、受环境影响小，且在测试时候的测试精度高。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110446116.4

专利申请（专利权）人：上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所

专利发明（设计）人：王学良;张峰;曹共柏;叶斐;王曦

主权项：一种半导体衬底的自热测量装置，其特征在于，包括一二极管、一直流电流源和一电压计；所述二极管的一表面上附着一层导热胶，所述导热胶层与所述二极管形成导热接触，所述导热胶层的另一面用于与待测半导体衬底的裸露表面形成导热接触；所述直流电流源与所述二极管的两端电学连接，为所述二极管提供一恒定电流，所述二极管在正向工作；电压计与所述二极管的两端电学连接，用于测量所述二极管两端的电压。

专利地区：上海