一种新型的MOSFET NQS模型及电路仿真方法专利登记公告

专利名称：一种新型的MOSFET NQS模型及电路仿真方法

摘要：本发明提供了一种新的基于电荷弛豫时间近似的MOSFET?NQS模型及电路仿真方法。这种模型通过当前时刻器件电荷的计算平衡值，上一时刻电荷的实际值，以及弛豫时间因子，直接对当前时刻的节点电荷进行求解，其仿真结果和Bsim3?NQS模型完全一致。另外，这种NQS模型考虑了MOSFET所有端本征电荷的作用。和Bsim3?NQS模型相比，这种模型减少了电路仿真所消耗的内存，节约了仿真时间，它使得高频电路的瞬态分析更加精确。这种模型不仅能对强反型的器件进行瞬态仿真，而且还可对处于亚阈区MOSFET的衬底电流和栅电流

专利类型：发明专利

专利号：CN201110451315.4

专利申请（专利权）人：北京华大九天软件有限公司

专利发明（设计）人：尚也淳;程明厚;吴大可

主权项：一种新型的MOSFET?NQS模型，其特征在于基于电荷的弛豫时间近似，包括了所有MOSFET本征电荷Qd，Qg，Qs和Qb的NQS模型。

专利地区：北京