半导体存储器件及其操作方法专利登记公告

专利名称：半导体存储器件及其操作方法

摘要：本发明公开了半导体存储器件及其操作方法。根据本公开的一个方面的半导体存储器件包括：第一页缓冲器，耦接到第一偶数位线和第一奇数位线；第二页缓冲器，耦接到第二偶数位线和第二奇数位线；以及控制器，被配置为控制第一和第二页缓冲器，使得当执行耦接到第一奇数位线的存储器单元的读取操作时，第二页缓冲器将第二偶数位线设定在浮置状态，使得第二偶数位线的电压根据第一奇数位线的电压漂移而改变，并且第二页缓冲器通过检测第二偶数位线的电压漂移来存储与存储器单元的阈值电压电平对应的数据。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110454135.1

专利申请（专利权）人：海力士半导体有限公司

专利发明（设计）人：安圣薰

主权项：一种半导体存储器件，包括：存储器单元阵列，被配置为包括耦接到偶数位线的偶数串和耦接到奇数位线的奇数串；电压源电路，被配置为提供用于所述偶数串中包括的偶数存储器单元和所述奇数串中包括的奇数存储器单元的编程操作和读取操作的电压；页缓冲器，每个均耦接到一对偶数位线和奇数位线；以及控制器，被配置为控制所述页缓冲器，使得每个页缓冲器通过检测设置在每条偶数位线两侧的奇数位线的电压来检测所述奇数存储器单元的阈值电压电平，并且根据检测结果控制电压源电路以便控制置于所述奇数存储器单元之间的每个所述偶数存储器单元的读取操作条

专利地区：韩国