一种降低快闪存储器阈值电压分布范围的方法专利登记公告

专利名称：一种降低快闪存储器阈值电压分布范围的方法

摘要：本发明公开了属于快闪存储器电路设计技术领域的一种降低快闪存储器阈值电压分布范围的方法。它包括以下步骤：1)对快闪存储器的所有存储单元施加擦除脉冲；2)通过擦除验证操作来判断快闪存储器所有存储单元的阈值电压是否低于第一预设值Vr1；3)通过调整控制Vstep的大小来控制Vd的大小，Vd随着Vstep的增加而减小。本发明的有益效果为：能够有效降低擦除操作后存储单元阈值电压的分布范围，扩大数据的存储空间，有利于将快闪存储器作为图象传感器等需要存储更多位模拟值的场合中。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210006029.1

专利申请（专利权）人：清华大学

专利发明（设计）人：伍冬;潘立阳

主权项：一种降低快闪存储器阈值电压分布范围的方法，其特征在于，它包括以下步骤：1)首先对快闪存储器的所有存储单元施加擦除脉冲，以降低快闪存储器的所有存储单元的阈值电压；2)然后通过擦除验证操作来判断快闪存储器所有存储单元的阈值电压是否低于第一预设值Vr1，如果不是，需要再次对存储单元施加擦除脉冲，如果是，则说明所有存储单元的阈值电压已经低于第一预设值Vr1；3)对存储单元施加软编程操作以提高存储单元的阈值电压，该软编程操作控制加到存储单元栅极的电压Vw大小满足如下条件：Vw?Vr1＝Vstep，从而使得存储单元的

专利地区：北京