具有悬臂梁结构的应变锗器件及其制备方法专利登记公告

专利名称：具有悬臂梁结构的应变锗器件及其制备方法

摘要：本发明提供具有悬臂梁结构的应变锗器件及其制备方法，涉及半导体光电子领域，制备方法包括步骤：提供含锗材料衬底，依次包括支撑衬底、牺牲层和顶层含锗层；图形化顶层含锗层以形成悬臂梁；腐蚀去除牺牲层；对悬臂梁的任意位置施加外力。所述应变锗器件，依次包括支撑衬底、牺牲层和顶层含锗层，所述顶层含锗层包含悬空的悬臂梁。本发明的优点在于既能够兼容CMOS工艺，又能通过改变外力调节锗薄膜材料的带隙结构，加工简单、方便，在近红外到中红外波段都能够提高锗材料的发光增益，为实现片上光源甚至激光光源提供基础材料，由于悬臂梁结构上所

专利类型：发明专利

专利号：CN201110454360.5

专利申请（专利权）人：上海新傲科技股份有限公司

专利发明（设计）人：武爱民;魏星;薛忠营;甘甫烷;张苗;王曦

主权项：一种具有悬臂梁结构的应变锗器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：?a）提供含锗材料衬底，依次包括支撑衬底、牺牲层和顶层含锗层；?b）图形化顶层含锗层以形成悬臂梁，图形化顶层含锗层的同时形成有图形窗口，所述图形窗口贯穿顶层含锗层，并暴露出牺牲层；?c）腐蚀去除牺牲层，直至悬臂梁悬空；?d）对悬臂梁的任意位置施加外力，使其产生张应变。

专利地区：上海