一种纳米压印方法专利登记公告

专利名称：一种纳米压印方法

摘要：本发明公开了一种纳米压印方法，先将紫外光固化纳米压印胶材料涂覆于衬底上，形成压印胶层；然后将压印模板压入压印胶层，使压印模板的纳米结构的凸起结构的底部与衬底直接接触；压印胶层定型后移去压印模板；所述压印胶层的体积小于压印模板的纳米结构上凹陷结构的体积；所述压印模板为双层复合结构的柔性纳米压印模板。本发明的无残余层纳米压印技术解决了现有纳米压印技术存在残余层的技术缺陷，省去了纳米压印残余层需要反应离子刻蚀除去这一复杂的微加工工艺，使压印后的图案传递与光刻完全一致，降低了后续纳米结构传递的难度与成本，更易实现

专利类型：发明专利

专利号：CN201110454509.X

专利申请（专利权）人：苏州锦元纳米科技有限公司

专利发明（设计）人：葛海雄;崔玉双;傅欣欣;陈延峰;李丰;袁孝

主权项：一种纳米压印方法，其特征在于：先将紫外光固化纳米压印胶材料涂覆于衬底上，形成压印胶层；然后将压印模板压入压印胶层，使压印模板的纳米结构的凸起结构的底部与衬底直接接触；压印胶层定型后移去压印模板；所述压印胶层的体积小于压印模板的纳米结构上凹陷结构的体积；所述压印模板为双层复合结构的柔性纳米压印模板。

专利地区：江苏