一种金刚石纳米坑阵列及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种金刚石纳米坑阵列及其制备方法

摘要：本发明的一种金刚石纳米坑阵列及其制备方法属于金刚石纳米结构的技术领域。金刚石纳米坑阵列，是在(100)面金刚石单晶表面刻蚀成平均密度为0.5×109～1.5×109cm-2的纳米坑，纳米坑的纵截面形状为倒梯形，坑口宽度80～150纳米；纳米坑内可以置有金纳米颗粒。制备方法是清洁金刚石单晶表面，利用离子溅射法溅镀金膜，用微波激发氧等离子体对覆有金膜的金刚石单晶进行刻蚀。本发明具有操作简单，成本低，可大面积生产，刻蚀气体安全无污染等优点；将纳米金的广泛应用与金刚石的优异特性相结合，为金纳米颗粒提供稳定的基底，

专利类型：发明专利

专利号：CN201110455720.3

专利申请（专利权）人：吉林大学

专利发明（设计）人：李红东;宋婕;王启亮;翟秀华;成绍恒

主权项：一种金刚石纳米坑阵列，是在(100)面金刚石单晶表面刻蚀成平均密度为0.5×109～1.5×109cm?2的纳米坑，纳米坑的纵截面形状为倒梯形，纳米坑深度50～100纳米，坑口宽度80～150纳米。

专利地区：吉林