一种硅片的湿法刻蚀方法及太阳能电池生产方法专利登记公告

专利名称：一种硅片的湿法刻蚀方法及太阳能电池生产方法

摘要：本发明提供了一种硅片的湿法刻蚀方法包括：使用氢氟酸对扩散制结后得到的硅片的各个表面进行润洗；用去离子水对硅片的各个表面进行冲洗；将硅片进行表面干燥；使用氢氟酸、硝酸和硫酸的混合液对硅片的侧面和背面进行刻蚀。本发明还提供了一种太阳能电池的生产方法，依次包括硅片检测，表面制绒处理，扩散制结处理，上述技术方案所述的湿法刻蚀处理，镀减反射膜处理，制作正面电极及背面电极和烧结处理。本发明提供的硅片湿法刻蚀方法减少了对硅片正表面的腐蚀，对正表面起到保护作用，改善了硅片的正表面的外观，并且边缘绝缘较好。采用所述湿法刻蚀

专利类型：发明专利

专利号：CN201210060376.2

专利申请（专利权）人：英利能源（中国）有限公司

专利发明（设计）人：李高非;徐卓;郎芳;崔景光

主权项：一种硅片的湿法刻蚀方法，包括以下步骤：a)使用氢氟酸对扩散制结后得到的硅片的各个表面进行润洗；b)用去离子水对所述步骤a)得到的硅片的各个表面进行冲洗；c)将所述步骤b)得到的硅片进行表面干燥；d)使用氢氟酸、硝酸和硫酸的混合液对所述步骤c)得到的硅片的侧面和背面进行刻蚀。

专利地区：河北