半导体器件专利登记公告

专利名称：半导体器件

摘要：本发明涉及半导体器件。在功率MOSFET等的超结结构中，主体单元部分的浓度相对较高，所以针对使用现有技术的外围端接结构或降低表面场结构的外围部分难以确保击穿电压等于或高于单元部分的击穿电压。具体而言，问题出现在于，在芯片的外围拐角部分中，由于电场集中导致击穿电压的变化对于超结结构中的电荷失衡变得敏感。在本发明中，在诸如在有源单元区域和芯片外围区域中的每个区域中具有超结结构的功率MOSFET之类的半导体功率器件中，与第一导电类型的漂移区域的表面的第二导电类型的主结耦合并具有比主结浓度更低浓度的、第二导电类型

专利类型：发明专利

专利号：CN201110456183.4

专利申请（专利权）人：瑞萨电子株式会社

专利发明（设计）人：玉城朋宏;中泽芳人

主权项：一种半导体器件，包括：(a)半导体芯片，具有第一主表面和第二主表面，所述第一主表面设置有功率MOSFET的源极电极，所述第二主表面设置有所述功率MOSFET的漏极电极；(b)第一导电类型的漂移区域，设置在所述半导体芯片的基本上整个第一主表面中；(c)基本上设置在所述第一主表面的中间部分处的基本上矩形的有源单元区域、沿着所述有源单元区域的各个侧部设置在所述有源单元区域的外侧的外围侧部区域以及设置在所述有源单元区域的各个拐角部分的外侧的外围拐角区域；(d)第一超结结构，具有第一取向，并且设置在所述单元区域的基

专利地区：日本