半导体装置专利登记公告

专利名称：半导体装置

摘要：本发明提供一种能够减轻多个浮动区域间的电位差不均匀的半导体装置。该半导体装置在区域3(k)和区域3(k+1)之间具备外部电容6(k)。多个外部电容6(k)被选定为其电容随着k的增加(即，从图1的纸面右侧向纸面左侧越来越)变大。利用这种结构，能够减轻区域3(k)与区域3(k+1)间的电位差的不均匀。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110461907.4

专利申请（专利权）人：三菱电机株式会社

专利发明（设计）人：寺岛知秀

主权项：一种半导体装置，其特征在于，具备：多个浮动区域，在半导体基板的面上并排设置，各个所述浮动区域之间设置绝缘区域，所述多个浮动区域包含位于离所述半导体基板的规定电位的岛状区域相对较近侧的第1浮动区域和与所述第1浮动区域相比位于离所述规定电位的所述岛状区域相对较远侧的第2浮动区域；绝缘层，介于所述多个浮动区域的各个区域与所述半导体基板的半导体材料层之间；以及电容形成部，相对于所述第1浮动区域与所述规定电位的所述岛状区域夹着的所述绝缘区域的电容，或者/以及相对于包含所述多个浮动区域中的至少所述第1浮动区域的一个以

专利地区：日本