部分SOI横向双扩散器件专利登记公告

专利名称：部分SOI横向双扩散器件

摘要：本发明涉及SOI技术。本发明解决了现有常规SOI器件自热效应明显的问题，提供了一种部分SOI横向双扩散器件，其技术方案可概括为：部分SOI横向双扩散器件，其埋氧层一端位于源极下方与器件边缘接触，另一端与漏极第二型杂质欧姆接触区的水平距离不小于零，埋氧层的另一端到漏极下方的器件边缘之间，第一型杂质衬底与第二型杂质顶层硅层接触形成PN结。本发明的有益效果是，其埋氧层在漏极下方开口，能够有效传递SOI器件所产生的热量，适用于SOI器件。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210047316.7

专利申请（专利权）人：四川长虹电器股份有限公司

专利发明（设计）人：廖红;罗波

主权项：部分SOI横向双扩散器件，包括源极、漏极、第一型杂质衬底、埋氧层及第二型杂质顶层硅层，所述第二型杂质顶层硅层包括漏极第二型杂质欧姆接触区及源极第二型杂质欧姆接触区，所述第一型杂质衬底设置在水平面，其特征在于，所述埋氧层一端位于源极下方与器件边缘接触，另一端与漏极第二型杂质欧姆接触区的水平距离不小于零，埋氧层的另一端到漏极下方的器件边缘之间，第一型杂质衬底与第二型杂质顶层硅层接触形成PN结，所述埋氧层从一端到另一端之间分为n段，每两个相邻的段之间的间距大于零，所述间距中具有第一型杂质衬底与第二型杂质顶层硅层

专利地区：四川