一种基于二极管辅助触发的双向可控硅器件专利登记公告

专利名称：一种基于二极管辅助触发的双向可控硅器件

摘要：本发明公开了一种基于二极管辅助触发的双向可控硅器件，包括P衬底层和两条二极管链路；P衬底层上设有第一N阱、P阱和第二N阱；第一N阱上设有第一N+有源注入区、第一P+有源注入区和第二N+有源注入区；第二N阱上设有第三N+有源注入区、第二P+有源注入区和第四N+有源注入区；第三N+有源注入区与第一二极管链路的阳极相连，第二N+有源注入区与第二二极管链路的阳极相连。本发明可控硅器件利用二极管作为辅助触发单元，使得器件具有可调且较低的正反向击穿电压，使得器件可适用于深亚微米工艺下的片上ESD防护，尤其可适用于一些

专利类型：发明专利

专利号：CN201210060503.9

专利申请（专利权）人：浙江大学

专利发明（设计）人：郑剑锋;韩雁;马飞;董树荣;吴健;苗萌;曾杰

主权项：一种基于二极管辅助触发的双向可控硅器件，其特征在于，包括：P衬底层(10)和两条二极管链路；所述的P衬底层(10)上从左到右依次设有第一N阱(21)、P阱(23)和第二N阱(22)，所述的P阱(23)与第一N阱(21)和第二N阱(22)并排相连；所述的第一N阱(21)上从左到右依次并排设有第一N+有源注入区(41)、第一P+有源注入区(51)和第二N+有源注入区(42)；所述的第二N阱(22)上从左到右依次并排设有第三N+有源注入区(43)、第二P+有源注入区(52)和第四N+有源注入区(44)；所述的第

专利地区：浙江