近红外波段全硅基纳米光电探测器专利登记公告

专利名称：近红外波段全硅基纳米光电探测器

摘要：本发明公开了一种近红外波段全硅基纳米光电探测器。它包括基底、硅纳米线光波导、肖特基接触电极、欧姆接触电极和绝缘层。在基底上构筑硅纳米线光波导，肖特基接触电极覆盖在它的顶部和侧壁，硅纳米线光波导与肖特基接触电极之间涂覆绝缘层，在硅纳米线光波导的平板区上相距肖特基接触电极1～2μm的地方设置欧姆接触电极。入射光从硅纳米线光波导输入，在肖特基接触区域被吸收，通过内部光发射效应转化为光生载流子，被肖特基接触电极和欧姆接触电极收集形成光电流，实现光电转换。本发明克服了宽禁带硅对近红外光不吸收的物理限制，具有超大带宽

专利类型：发明专利

专利号：CN201110459334.1

专利申请（专利权）人：浙江大学

专利发明（设计）人：杨柳;何赛灵

主权项：?一种近红外波段全硅基纳米光电探测器，其特征在于，包括基底（1）、硅纳米线光波导（2）、肖特基接触电极（3）、欧姆接触电极（4）和绝缘层（5），在基底（1）上构筑硅纳米线光波导（2），肖特基接触电极（3）覆盖在硅纳米线光波导（2）的顶部和侧壁，硅纳米线光波导（2）与肖特基接触电极（3）之间涂覆绝缘层（5），在硅纳米线光波导（2）的平板区上相距肖特基接触电极（3）1～2?μm的地方设置欧姆接触电极（4），入射光从硅纳米线光波导（2）输入，在肖特基接触区域被吸收，通过内部光发射效应转化为光生载流子，被肖特基接

专利地区：浙江