一种肖特基栅场效应紫外探测器及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种肖特基栅场效应紫外探测器及其制备方法

摘要：本发明涉及一种肖特基栅场效应紫外探测器及其制备方法，本发明通过采用了肖特基栅场效应晶体管结构，以蓝宝石衬底上外延生长的N型ZnO薄膜为有源层，并在此有源层上利用磁控溅射法制备欧姆源漏电极和肖特基栅极，探测器采用背照式探测方式，通过栅压调整器件工作状态，探测电流由漏源极引出，这种紫外探测器集肖特基结快响应速度和晶体管放大增益特性于一体，采用平面制备工艺，具有结构简单，背照式工作，寄生电容小，工作频带宽等优点，可以获得超高速、大增益、高量子效率的紫外探测器件，在通信和医学等领域有广阔的应用前景。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210013991.8

专利申请（专利权）人：河南大学

专利发明（设计）人：张新安;海富生;党玉敬;丁玲红;焦洋;张伟风

主权项：一种肖特基栅场效应紫外探测器，其特征在于：该肖特基栅场效应紫外探测器包括双面抛光的蓝宝石衬底、在该蓝宝石衬底上外延生长的N型ZnO薄膜以及在该N型ZnO薄膜上制备的欧姆源漏电极和肖特基栅极，源极和漏极与ZnO有源层构成欧姆接触，栅极和ZnO有源层构成肖特基接触。

专利地区：河南