硅PIN中子剂量探测器及其制作方法专利登记公告

专利名称：硅PIN中子剂量探测器及其制作方法

摘要：本发明公开了一种硅PIN中子剂量探测器及其制作方法。该硅PIN中子剂量探测器包括高电阻硅片以及分别位于高电阻硅片正面和背面的P型和N型矩形有源区，其中硅片正面的有源区在硅片背面上的垂直投影与硅片背面的有源区左右对称。本发明通过将P型和N型有源区设计成上下非垂直对称结构，有效增大了P型有源区到N型有源区的距离，使得P区和N区之间的距离大于硅片的厚度，即增大了探测器件I区的有效厚度，突破了高阻硅片厚度对PIN管I区厚度的限制。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210015241.4

专利申请（专利权）人：北京大学

专利发明（设计）人：于民;樊超;杨昉东;田大宇;金玉丰

主权项：一种硅PIN中子剂量探测器，包括高电阻硅片以及分别位于高电阻硅片正面和背面的P型和N型有源区，其特征在于，两个有源区为大小形状相同的矩形，其中硅片正面的有源区在硅片背面上的垂直投影与硅片背面的有源区左右对称。

专利地区：北京