太阳能级铸锭多晶硅片表征方法专利登记公告

专利名称：太阳能级铸锭多晶硅片表征方法

摘要：本发明涉及太阳能级铸锭多晶硅片表征方法，具有如下步骤：使用荧光光致发光成像仪获得的多晶硅片图像；作多晶硅片图像的亮度频数直方图；以亮度频数直方图的峰值作为阈值，对多晶硅片图像进行对象识别，将其转换为二值矩阵；对得到的二值矩阵进行求和，得到亮区像素点数，其与总像素点数的比值即为洁净晶粒区面积比例ε，用硅片的洁净晶粒区面积比例ε表征最终多晶硅片太阳电池的效率。本发明基于阈值截取图像识别方法的量化处理方法，通过量化缺陷面积来预测电池片的效率，通过实验可以发现硅片的洁净晶粒区面积比例ε与对应的电池效率存在正相关，

专利类型：发明专利

专利号：CN201110459786.X

专利申请（专利权）人：常州天合光能有限公司

专利发明（设计）人：付少永;张驰;熊震;王梅花

主权项：一种太阳能级铸锭多晶硅片表征方法，其特征是：具有如下步骤：1)使用荧光光致发光成像仪获得的多晶硅片图像；2)作多晶硅片图像的亮度频数直方图；3)以亮度频数直方图的峰值作为阈值，对多晶硅片图像进行对象识别，将其转换为二值矩阵；4)对得到的二值矩阵进行求和，得到亮区像素点数，其与总像素点数的比值即为洁净晶粒区面积比例ε，用硅片的洁净晶粒区面积比例ε表征最终多晶硅片太阳电池的效率。

专利地区：江苏