一种应用于MOSFETs器件的超高速Id-Vg测试方法专利登记公告
专利名称：一种应用于MOSFETs器件的超高速Id-Vg测试方法
摘要：本发明属于金属氧化物半导体晶体管测试技术领域，具体涉及一种用于高性能MOSFET晶体管器件的Id-Vg测试方法。该方法是在测试回路中用一个接近晶体管开态电阻阻值的片状电阻代替待测晶体管，测得两路脉冲信号：栅极电压脉冲信号和漏极电流经过Op电流电压放大器放大后的电压信号，从而进行信号同步的修正；并且在同一实验平台上设置电源电压为零时，测得晶体管的位移电流信号，从而进行位移电流造成的误差修正。本发明方法操作简单、几乎零成本，但是效果显著，测试精确，适用于以III-V族半导体、锗、石墨烯、各种纳米管、线等结构为
专利类型：发明专利
专利号：CN201210000912.X
专利申请（专利权）人：复旦大学
专利发明（设计）人：王晨;卢红亮;孙清清;周鹏;王鹏飞;张卫
主权项：一种应用于MOSFET晶体管的超高速Id?Vg测试方法，包括对晶体管性能测试时的信号进行同步处理，以及对位移电流信号造成的误差进行修正；其特征在于：是在测试回路中用一个接近晶体管开态电阻阻值的片状电阻代替待测晶体管，测得两路脉冲信号：栅极电压脉冲信号和漏极电流经过Op电流电压放大器放大后的电压信号，从而进行信号同步的修正；并且在同一实验平台上设置电源电压为零时，测得晶体管的位移电流信号，从而进行位移电流造成的误差修正。
专利地区：上海
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